华诺星科技 RQ3E120ATTB

型号： RQ3E120ATTB

数量：15000

数据列表 HSMT8 TB Taping Spec;

RQ3E120AT;

标准包装   3,000

包装   标准卷带  

零件状态 有源

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 -

规格 RQ3E120ATTB

FET 类型 P 通道 RQ3E120ATTB

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 12A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 62nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3200pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2W（Ta）

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 8-HSMT（3.2x3）

封装/外壳 8-PowerVDFN

文档

仿真模型 RQ3E120AT Spice Model

其它有关文件 HSMT8 Inner Structure

HSMT8 Part Marking

Transistor, MOSFET Flammability

RoHS指令信息 HSMT8-HF Constitution Material List

RQ3E120AT ESD Data

Transistor Whisker Info

Transistor, MOSFET Level 1 MSL