场效应管*
地区:江苏
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无
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场效应管大,根据漏*-源*间所加VDS的电场,源*区域的某些电子被漏*拉去,即从漏*向源*有电流ID流动。从门*向漏*扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动,在理想状态下几乎具有*缘特性,通常电流也难流动。但是此时漏*-源*间的电场,实际上是两个过渡层接触漏*与门*下部附近,由于漂移电场拉去的*电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次,VGS向负的方向变化,让VGS=VGS(off),此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上,将电子拉向漂移方向的电场,只有靠近源*的很短部分,这更使电流不能流通。
国产,*
多型号
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MAP/匹配对管
CER-DIP/陶瓷直插
GaAS-FET砷化镓
视型号定(V)
视型号定(V)
视型号定(pF)
视型号定(dB)
视型号定(mA)
视型号定(mW)