朱钦元
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散新质量*,不良率低于千分之一 ,包上机
参数:20V 64A 8.5毫欧 N沟道
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SMD(SO)/表面封装
K3638
N-FET硅N沟道
UNI/一般用途
NEC/日本电气
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
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恒泰柯功率MOSFET
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