供应场效应管20N60C3

INFINEON英飞凌原装COOLMOS产地：德国

SPA20N60C3   TO-220F

英飞凌原装批发SPP20N60C3    TO-220

SPP20N60C3  TO-220相关介绍

SPP20N60C3    VDS/600V;  RDS0.19Ω;   /D/20.7A;  208W;

Marking:20N60C3

英飞凌的功率芯片的生产工艺采用了离子注入技术，这是一种**的工艺技术，而世界上的其他半导体厂商用的工艺仍然是热扩散技术；离子注入技术与热扩散技术相比，其优点在于，离子注入技术可以很好地控制半导体扩散到硅基板中的浓度和厚度，精度*高，制造的器件有一个重要特点就是一致性*好，而旧的离子扩散技术由于温度控制的精度很难做得很高，所以器件的一致性不如离子注入技术。

我公司主营产品：IGBT单管，IGBT模块，可控硅，场效应(MOS)管，快恢复二*管，电源IC，光耦等，是*的*比电子元件供应商。专向电焊机，焊接设备，开关电源，变频器，控制器，逆变器，照明，工*等行业提供快捷，*，贴心的服务。欢迎厂家的朋友来电合作。

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