结型场效应管 蔡钟强
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IXY美国电报半导体
IXFH15N80
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
ALGaAS铝镓砷
800(V)
1000(V)
12(μS)
02(pF)
12(dB)
15(mA)
350(mW)
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