结型场效应管 蔡钟强
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IXY美国电报半导体
FBO40-12N
结型(JFET)
N沟道
增强型
UNI/一般用途
CER-DIP/陶瓷直插
IGBT*缘栅比*
1200(V)
1400(V)
30(pF)
10(dB)
40(mA)
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长电 2SK3018 SOT-323 KN 场效应管 MOS管
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