贴片 TO-252 IRFR1205 场效应管

(以下参数只供参考）

类别：分离式半导体产品

家庭：FET - 单路

系列：HEXFET®

FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 特点：标准型

开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C：27 毫欧 @ 26A, 10V

漏*至源*电压(Vdss)：55V

电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C：44A
Id 时的 Vgs(th)（*大）：4V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs:65nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss):1300pF @ 25V
 

功率 - *大:107W