IRF3710S,IRF3710SPBF,场效应管

地区:广东 深圳
认证:

结型场效应管 深圳市福田区新亚洲电子市场信宝伏安电子商行

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型号:IRF3710S
描述:100V 23mΩ Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak(TO-263) package

原装正品,**,无铅*,可长期供货。
我们的理念:做*诚信的供应商。

***(具体价格按当天现货行情,请与我司确认之后下订单)***

深圳信宝伏安电子是*从事电子元器件贸易配套服务的*供应商。主要分销及代理:美国IPS、日本TOCOS、美国IR(国际整流器)、台湾UTC、TRR、Cirrus Logic、PERICOM、德爱D&I(韩国)、德国威马(WIMA)、ST(意法半导体)、ON(安森美)、MAXIM美信(DALLAS)、FSC(*童)、TOS(东芝)、SHARP(夏普)、FUJI(富士)、AOS、PHI(飞利浦)、EIC、SANKEN、TI(德州)、COSMO等;主要经营的产品有:场效应管(MOSFET)、电源管理IC、驱动IC、锂电保护IC、时针IC、整流桥、肖特基管、快恢复管、可控硅、三端稳压管、IGBT、光耦、威马电容等等。产品广泛用于开关电源、逆变电源、UPS电源、HID氙气灯/安定器、整流器、*灯、转向灯、激光打标、电脑电源/主板、充电器、镇流器、音响、数码产品、仪器仪表电源、通信网络设备、航空、卫星等各行各业。我们视“客户 企业=共赢”作为企业发展的基础,做*诚信的供应商,希望真诚与您携手共进、共同成长,为*的和谐发展和电子行业的繁荣作出应有的贡献!

美国IPS N-MOSFET:
FTP08N50 替IRF840
FTP18N06 替IRFZ44N
FTP18N20 替IRF640
FTP10N40 替IRF740
FTP05N50 替IRF830
更多参数请看 https://www.xbmos.com/news-details.asp?dispid=224

日本原装TOCOS电位器:
RV30YN20*204,RV24YN20*104,RV24YN20*103,RV16YN15*104

整流桥系列:(**创*溥型矮脚扁平封装系列桥式整流器)
*4F *6F *8F *10F K*12F K*14F K*16F K*18F K*110F K*22F K*24F。。。

电源管理/控制/驱动IC系列:
IR2103,IR2103S,IR2153,IR2153S,IR2111,IR2111S,IR2113S,IR2104S,IR2520D,IR2109,IR2101,IR2161,IR2151,IR2155,IR2110,VIPER12A,VIPER22A,L6561,L6562,MC33063,MC34063,UC2843BD1R2G,UC3842BNG,UC3842BD1R2G,UC3843BNG,UC3843BD1R2G,UC3845BNG,UC3845BD1R2G,UC284*NG,UC385*NG4。。。

系列场效应管(MOSFET):
IRF1010E,IRF1404,IRF1405,IRF5305,IRF2807,IRF3205,IRF3710,IRF4905,IRF5210,IRF530,IRF530N,IRF540N,IRF630N,IRF640N,IRF730,IRF740,IRF830,IRF840,IRF9510,IRF9520,IRF9530N,IRF9540,IRF9540N,IRF9630,IRF9640,IRFZ24N,IRFZ34N,IRFZ44N,IRFZ44R,IRFZ44V,IRLZ44N,IRFZ46N,IRFZ46Z,IRFZ48V,IRFZ48N,IRF9Z24N,IRF9Z34N,IRFP150,IRFP150N,IRFP250N,IRFP260N,IRFP254N,IRFP264,IRFP264N,IRFP350,IRFP360,IRFP450,IRFP450LC,IRFP460,IRFP460A,IRFP460LC,IRFP054N,IRFP064N,IRFBE30,IRF520N,IRF634,IRF710,IRF720,IRF820,IRF4905L,IRF5303,IR2520D,IRFP240,IRFP9240,IRF610,IRF9610,IRF5210,IRFR024N,IRFR120N,IRFR220N,IRFR9024,IRFR420,IRFR5305,IRF7313,IRF7314,IRF7413,IRFL9110,IRL3705,IRL3803,IRL3803S,IRFD110,IRFD9110,IRFD9220,IRFD220,IRFD120,IRFD9120,IRFU9120,IRF6216,IRF640NS,IRF3415,IRFB4310,IRF7210,IRF9530S,IRF7832,IRFP140N,IRFP448,IRFP2907,IRFP9140N,IRFPC50,IRFPC60,IRFBE30,IRFPE40,IRFPE50,IRFPF50,IRFPG50,IRFBC20,IRFBC30,IRFB*0,IRFBG20,IRFBG30,IRLML6302TR,IRLML2402TR,IRLML2502TR,IRLML2803TR,IRLML5103TR,IRLML5203TR,IRLML6401TR,IRLML6402TR,IRFB4710,IRFB4212,IRFB11N50A,IRFB38N20D,IRFB31N20D,STP60NF06,STP75NF75,STP55NF06,2SK2645,IRF630B,IRF640B,IRF840B,FQPF2N60C,FQP5N60C,FQF5N60C,SSS7N60B,FQPF8N60C,FQPF10N60C,FQPF12N60C,FYP2010DNTU,FQP50N06,FGA15N120ANTDTU,FGA25N120ANTDTU。。。

肖特基,快恢复:
HFA08TB60,8ETH06,30CPQ100,30CPQ060,40CPQ045,40CPQ060,40CPQ100,MUR420RLG,MUR460RLG,MUR860G,MUR8100EG,MUR1560G,MUR1620*G,MUR1660*G,MUR3020PTG,MUR3040PTG,MUR3060PTG,*R1545*G,*R2045*G,*R2545*G,*R20100*G,*R20200*G,*R20100*,11DQ10。。。

可控硅系列:
BT134-600D,BT136-600E,BT136-600E,BT138-600E,BT137-600E,BT151-500R,BT169D,BTA06-600C,BTA08-600C,BTA12-600B,BTA16-600B,BTA24-600CW,BTA26-600B ,BTB04-600SL,BTA41-600B。。。

三端稳压管系列:
L7805CV,L7806CV,L7808CV,L7809CV,L7812CV,L7815CV,L7824CV,L7905CV,L7906CV,L7912CV,L7915CV (电压:5V,6V,8V,9V,12V,15V,24V)。。。

IGBT:
IRG4P*0U,IRG4P*0S,IRG*C20UDPBF,IRGP30B120KD-E,IRGP20B60PDPBF,IRG4P*0W,IRG4PF50W,IRG4PF50WD,IRGPS40B120U,IRGPS40B120UD。。。

锂电池保护新方案:
CR6002D (MOS IC*整合)

时针IC:
PT7*302WE    *替代DS1302
PT7*372ALE   *替代RS5C372
PT7*363WE    *替代PCF8563
PT7*337WE    *替代DS1337S
PT7*390WE    *替代S-35390A

WIMA电容全系列

贴片电容:
有PET、PEN 和PPS介质的电容,尺寸是1812-6054,容量为从0.01μF 到 6.8 μF。
脚距小于2.5mm的电容:
微型威马电容是由金属箔制作而成的,其容量*1.0μF以上。
脚距为2.5-5mm的电容:
脚距在2.5-5mm的电容的运用很广泛,其容量可*22μF,电压*100VDC以上。
脚距为7.5-15mm的薄膜电容:
聚酯,聚丙烯和混合介质的脉电容的应用,其容量可*0.22μF,电压可*1000VDC以上。
脚距为7.5-37.5mm的金属电容:
聚酯,聚丙烯和混合介质Self-healing 的电容,其容量可*220μF,电压可*2000VDC以上。
脉冲电容:
专为具有*高脉冲而设计,self-healing*性很强的聚丙烯的电容的电压可*6000VDC以上。
*震电容:
随着高电力变换器技术的发展,威马聚丙烯坚硬电容可提供多流连接配置。
GTO电容:
威马聚丙烯GTO电容尤指为削弱*电压而设计,用于GTO晶闸管和IGBT。
RFI电容:
聚丙烯或者金属纸介质的干扰抑制电容可分为X2, X1 或 Y2。
*电容:
具有高容量的双层储存电容适合电池的支持,保护或者替代在牵引系统中的一个法拉范围内。


***价格优,原装*,质量上等,可长期供货,可协助小批量试产,请有需要降低生产成本的朋友和工厂前来洽谈!

***型号未尽详录,如有需要的具体型号请来电咨询!

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品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRF3710S

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

开启电压

-(V)

夹断电压

-(V)

跨导

-(μS)

*间电容

-(pF)

低频噪声系数

-(dB)

漏*电流

-(mA)

耗散功率

-(mW)