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场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单*型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10^8~10^9Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、*工作区域宽等优点,现已成为双*型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
(1)场效应管是电压控制器件,它通过VGS来控制ID;
(2)场效应管的输入端电流*小,因此它的输入电阻很大。
(3)它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好;
(4)它组成的放大电路的电压放大系数要小于三*管组成放大电路的电压放大系数;
(5)场效应管的*辐射能力强;
(6)由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低。
P-DIT/塑料双列直插
IRF3710、IRFZ24N、K1A78R
N-FET硅N沟道
L/功率放大
拆机
N沟道
结型(JFET)
耗尽型
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