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品牌/商标

其他

型号/规格

2SK1923

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

L/功率放大

封装外形

CHIP/小型片状

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

100(V)

夹断电压

100(V)

跨导

100(μS)

*间电容

100(pF)

低频噪声系数

100(dB)

漏*电流

100(mA)

耗散功率

100(mW)