*童场效应管FQD5N50

地区:广东 深圳
认证:

结型场效应管 深圳市飞捷士科技有限公司

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*童 飞兆 Fairchild*代理

Manufacturer:Fairchild Semiconductor 
Product Category:MOSFETs 
RoHS:RoHS Compliant by Exemption Details 
Product:General Purpose MOSFETs 
Configuration:Single 
Package / Case:DPAK 
Transistor Polarity:N-Channel 
Drain-Source Breakdown Voltage:500 V 
Continuous Drain Current:4 A 
Power Dissipation:2500 mW 
Forward Transconductance gFS (Max / Min):5.2 S 
Resistance Drain-Source RDS (on):1.4 Ohm @ 10 V 
T*ical Fall Time:48 ns 
T*ical Rise Time:46 ns 
T*ical Turn-Off Delay Time:50 ns 
Packaging:Reel 
Gate-Source Breakdown Voltage: /- 30 V 
Maximum Operating Temperature:150 C 
Minimum Operating Temperature:- 55 C 
T*e:MOSFET 
品牌/商标

*童 飞兆 Fairchild FSC

型号/规格

FQD5N50

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

NF/音频(低频)

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

封装形式

TO-252