供应*童IGBT SGH80N60UFD 北京原装*现货

 一、IGBTSGH80N60UFD主要技术参数

• High speed switching
• Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 40A
• High input impedance
• CO-PAK, IGBT with FRD : trr = 50ns (t*.)

 二、IGBTSGH80N60UFD实物拍摄

IGBTSGH80N60UFD

IGBTSGH80N60UFD

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*说明：尊敬的客户，本公司发布的产品价格为参考价格。如需获取具体产品信息请咨询旺旺在线客服，或拨打。公司全体员工*恭候您来电来函咨询。

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