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MOSFET场效应管FQD2N100 FQD1N80 FQD2N80 FQD2N90 FDD2572

地区：广东 深圳
认证： 无

结型场效应管 深圳市百佳诺电子科技有限公司

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：陈先生
 
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望不吝来电
**IC  MOS场效应管

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漏*电流

0

材料

GE-N-FET锗N沟道

种类

结型(JFET)

型号/规格

FQD2N100 FQD1N80 FQD2N80 FQD2N90 FDD2572

封装外形

SMD(SO)/表面封装

品牌/商标

FAIRCHILD/SOT252

用途

MOS-FBM/全桥组件

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

低频噪声系数

0

*间电容

0