MOSFET场效应管NTD60N02RG 25V 8.5A

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结型场效应管 深圳市百佳诺电子科技有限公司

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1、IRF3710,IRF3710S,IRFR3709Z,IRF540N,HFA08SD60,IRF840,IRF840AS,IRF840S,IRFR5305,IRFR120N,IRFR13N15D,
IRLR3705Z,IRF3805S,IRF2804S,IR2130S,IRF630NS,IRL540S,IRF1404S,IRL1404S,IRF4104S,IRFB4310,IRFS4321,
IRFS3207,IRF2907ZS,IRFS3206,IRFL4315 ,IRFR024N,IRFR210,IRFR9210,IRFR220N,等等
 
2、STD100N02L , STD70N02L , STB11NM60 ,STP60NF06,STD5NM50,STD5NM60,FQD17P06 ,FDD8896 , FDD6637 ,FDD8870,
MJD31C,MJD44H11,MJD45H11, SUB75N08 , SUD50N06 , SUD50N03 , SUM110P06 等等
 
3、NTD20N06 ,NTD2955,NTD3055,NTD80N02,*RD1045,*RB1545,*RB2545,AOD403 ,AOD414 , AOD406 , AOD407 ,AOD413 ,AOD480 等等

 

品牌/商标

授权专销ON(美國安森美)

型号/规格

NTD60N02RG

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

HF/高频(射频)放大

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

25(V)

夹断电压

0(V)

跨导

0(μS)

*间电容

0(pF)

低频噪声系数

0(dB)

漏*电流

0(mA)

耗散功率

0(mW)