FMV11N60E 11N60E原装富士场效应管

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品牌/商标

FUJI/富士通

型号/规格

FMV11N60E 11N60E

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

NF/音频(低频)

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

600（V）

夹断电压

11A（V）

跨导

3（μS）

*间电容

3720（pF）

低频噪声系数

5（dB）

漏*电流

5（mA）

耗散功率

150（mW）