CREE 35W氮化镓(GaN)射频功率晶体管HEMT CGH40035F

代理CREE 35W氮化镓(GaN)射频功率晶体管HEMT CGH40035F

Cree是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)晶片及RF通信设备的领先供应商。

深圳市立维创展科技有限公司是其代理商。

典型应用包括

l 双通道私人电台

l 宽带放大器

l 蜂窝基础设施

l 测试仪器

l 适于OFDM、W CDMA、Edge、CDMA波形的A类、AB类线性放大器

l Cree RF器件尤其适用于高功率通信，这得益于我们所使用的碳化硅(SiC)材料。

SiC具备的固有优势使得宽带放大器能够用于UHF、L频段和S频段应用。这些特性包括

l 高导热性

l 高击穿电场

l 高饱和电子漂移速度

l 高功率密度（每单位栅范围功率）

这些特点使得GaN HEMT成为多倍频程应用中功率FET的理想之选，可用于十倍频程带宽功率放大器。

产品外观：

基本参数：

l        0到4 GHz操作

l        15 dB小信号增益在2.0 GHz

l        13 dB小信号增益在4.0 GHz

l        45 W（典型值）Psat

l        60％的效率Psat

l        28 V操作

其他参数：

产品应用：

l        雷达

l        带宽放大器

l        数据链路和战术数据链

产品描述：

Cree的CGH40035F是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。CGH40035F，从28伏铁路经营，提供了一个通用的宽带解决方案的各种射频和微波应用。GaN HEMT器件提供高效率，高增益和宽的带宽能力CGH40035F理想的线性放大电路和压缩。晶体管是旋入式，法兰包装。

深圳市立维创展科技有限公司与Cree原厂直接签约代理销售其全系列射频通信用元器件，可提供COC文件和原厂提供的一切技术与服务支持。一手货源，货期与价格独具优势。

相关型号如下：

CGH40010F/CGH40010p
CGH40025F/CGH40025p
CGH40035F
CGH40045F
CGH40090PP
CGH40120F
CGH40180PP

型号/规格

CGH40035F

品牌/商标

CREE

供应CREE 35W氮化镓(GaN)射频功率晶体管HEMT CGH40035F