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Cree是碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 晶片及 RF 通信设备的领先供应商。典型应用包括
Cree RF 器件尤其适用于高功率通信,这得益于我们所使用的碳化硅 (SiC) 材料。
SiC 具备的固有优势使得宽带放大器能够用于 UHF、L 频段和 S 频段应用。这些特性包括
这些特点使得 GaN HEMT 成为多倍频程应用中功率 FET 的理想之选,可用于十倍频程带宽功率放大器。
深圳市立维创展科技有限公司与Cree原厂直接签约代理销售其全系列射频通信用元器件,可提供COC文件和原厂提供的一切技术与服务支持。一手货源,货期与价格独具优势。
CGHV1J070D性能特征:
• CGHV1J025D应用范围:
相关型号如下:
CGHV14500F
CGHV1J006D
CGHV1J025D
• CGHV1J025D尺寸规格:
CGHV1J070D
CREE