供应CREE Ku波段70W 氮化镓GaN HEMT裸芯片CGHV1J070D

Cree是碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 晶片及 RF 通信设备的领先供应商。典型应用包括

• 双通道私人电台
• 宽带放大器
• 蜂窝基础设施
• 测试仪器
• 适于 OFDM、W CDMA、Edge、CDMA 波形的 A 类、AB 类线性放大器

Cree RF 器件尤其适用于高功率通信，这得益于我们所使用的碳化硅 (SiC) 材料。

SiC 具备的固有优势使得宽带放大器能够用于 UHF、L 频段和 S 频段应用。这些特性包括

• 高导热性
• 高击穿电
• 高饱和电子漂移速度
• 高功率密度（每单位栅范围功率）

这些特点使得 GaN HEMT 成为多倍频程应用中功率 FET 的理想之选，可用于十倍频程带宽功率放大器。

深圳市立维创展科技有限公司与Cree原厂直接签约代理销售其全系列射频通信用元器件，可提供COC文件和原厂提供的一切技术与服务支持。一手货源，货期与价格独具优势。

CGHV1J070D性能特征：

•   CGHV1J025D应用范围：

• CGHV1J025D尺寸规格：