长期供应 三*管 *R10200* *R20600* 等多种型号

地区:广东 汕头
认证:

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产品参数 T=25

 

Characteristics(参数)Symbol(*号)Value(额定值)Units(单位)
漏源反向击穿电压BV dss600V
连续漏*电流I d2.4A
栅源电压V gs&plu*n;30V
雪崩能量E as140mJ
耗散功率P d64W
储存温度T stg-55~150
热阻(结到壳)R jc1.95℃/W
正向压降V sd1.4V
加工定制

品牌/商标

*

型号/规格

*R10200* *R20600*

应用范围

功率

材料

硅(Si)

*性

NPN型

集电*允许电流ICM

1(A)

集电*耗散功率PCM

1(W)

截止频率fT

1(MHz)

结构

点接触型

封装形式

直插型

封装材料

金属封装