场效应管 IRFS17N20D / IRFS17N20DTR / FS17N20D / 17N20

地区:广东 深圳
认证:

深圳市福田区丰尔电子商行

普通会员

全部产品 进入商铺

IRFS17N20D中文资料:

 

制造商

International Rectifier

制造商*件编号

IRFS17N20DTRRP

描述

MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK

类别

分离式半导体产品

家庭

FET -单路

系列

HEXFET®

FET

MOSFET N通道,金属氧化物

FET特点

标准型

开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C

170毫欧 @ 9.8A, 10V

漏*至源*电压(Vdss)

200V

电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C

16A

Id时的 Vgs(th)(*大)

5.5V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs

50nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss)

1100pF @ 25V

功率 - *大

3.8W

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB

供应商设备封装

D2PAK

包装

带卷 (TR)


公司照片:









 

备注:

 

1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问,请联系我们获取该产品的*新信息。

 

2、产品繁多,未能一一上传,欢迎与我们联系咨询。

 

 

 

 

 

IRFS17N20D订购及咨询:

 

深圳市丰尔电子有限公司

 

:(7线)

 

商务

 

MSN: jason-

 

E-mail:yufo_

 

手机: 13590258862 / 13531791171

 

更多详情请登录我们的网站:https://www.yufo-ic.cn/

 

"
品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRFS17N20D

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

S/开关

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

5.5(V)

*间电容

1100(pF)

漏*电流

16,000(mA)

耗散功率

3,800(mW)