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    场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单*型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、*工作区域宽等优点，现已成为双*型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

  （1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS来控制ID；

　（2）场效应管的输入端电流*小，因此它的输入电阻很大。

　（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；

　（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三*管组成放大电路的电压放大系数；

　（5）场效应管的*辐射能力强；

　（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。