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1UF=103NF=106PF=10-6F
CR<10pF:&plu*n;0.25PF;&plu*n;0.5PF。
CR≥10pF:&plu*n;5%;&plu*n;10%;&plu*n;20%与 80/-20%。
本承认书所讲述之电压均为直流电压,除非有*注明。
贵公司若在使用或测试中有应用到交流电压时,请事先通知我公司业务部或品管部。
电容量的温度系数英文为Temperature Coefficient of Capacitance;是指在规定的温度范围内测量的电容量随温度的变化率,通常用10-6/℃或ppm/℃来表示。
电容量温度循环漂移英文为Temperature Cyclic Drift of Capacitance;是指在规定的温度循环次数完成期间或结束之后,在室温下所观测到的电容量的*大不可逆变化,这种不可逆变化通常是用与基准温度有关的电容量的百分比,基准温度通常是25℃。
类别 | 一类瓷 | 二、三类瓷 |
下限类别温度 | -25℃ | X:-55℃;Y:-25℃;Z: 10℃ (X、Y及Z均为各温度特性前*码) |
上限类别温度 | 85℃ | 5: 85℃;7: 125℃ (5和7为各温度特性前第二码) |
5.1.1.试验状态定义:
a> 标准状态:是指温度15~35℃、相对温度45~85%、气压860~1060mbar。
b> 判定状态:是指温度25&plu*n;2℃,相对湿度60~70%,气压860~1060mbar。
c> 基准状态:是指温度25℃,相对湿度65%,气压1013mbar。
5.1.2.试验及测定环境要求:
无*规定时,在标准状态或判定状态下进行试验及测定。但如对标准状态或判定状态之测定值,一旦判定有疑问或在被*要求之情形下,则*须在基准状态下进行。
在基准状态测定或试验有困难时,或在不产生判定疑问之前提下,在基准状态以外的状态下做试验与测定亦可。
5.1.3.注意事项:
a> 在试验及测定时,可以在以上三种状态规定的任一种温度下测量,相对湿度与气压均可为常湿(45~85%)与常压(860~1060mbar);但若对试验与测定值有*要求时则*须在基测状态指定的温度下进行。
b> 在整个试验过程的前后,对于供试验电容器的测定有影响之日光或其它热源幅射等因素,均要避免之。
c> 在整个试验及测定过程中,为使试验结果不致发生疑问,有*须时,应对供试验电容器置于测量温度内30分钟以上,并使之充分放电。
瓷片电容
一、特点
●尺寸小、耐压可高可低。
●环氧树脂包封或灌封,良好的*潮性、阻燃性。
●介质损耗低、频率特性优良。
二、用途
●主要用于高压直流电源电路,如激光机、X光机、加速器、空气清新机等。
●彩电、彩显的聚焦输出电路,使图像全屏幕聚焦优良。
●用于电焊机及静电喷涂设备。
三、技术指标(SPECIFICATIONS)
电容量(capacitance) | 18pF~33000pF |
电容量允许偏差(capacitance tolerance) | K(&plu*n;10%),M(&plu*n;20%),Z( 80%-20%) |
使用温度(operating temperature) |
|
温度特性(temperature characteristic) | Y5P,Y5U,Y5V,SL,BN,Y5R |
额定电压(rated voltage) | 16V,25V,50V,100V,1KVDC,2KVDC,3KVDC |
损耗角正切值(dissipation factor)(tgδ) | Y5P、Y5U、Y5V: tgδ≤2.0% |
*缘电阻(insulation resistance)(IR) | IR≥10000MΩ @ 25℃,500VDC |
耐电压(voltage proof) | 1.5Ur 500 |
测试电压(testing voltage) | 2 times the rated voltage or 1.5 times |
封装(encapsulation) | 1KV:酚醛树脂 |
50(V)
小功率
固定
0.22(uF)
低频
滤波
224PF/50V
-25℃~+85℃
-20~80(%)
径向引出线
3000(mΩ)
YW
63(V)
0.01
4000(mΩ)
陶瓷(瓷介)
圆片形