IRF640N

描述

• 晶体管*性:N沟道
• 电流, Id 连续:18A
• 电压, Vds *大:200V
• 在电阻RDS（上）:180mohm
• 电压 @ Rds测量:10V
• 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
• 封装类型:TO-220AB
• 针脚数:3
• 功率, Pd:125W
• 功耗:125W
• 封装类型:TO-220AB
• 晶体管类型:
• 漏*电流, Id *大值:18A
• 热阻, 结至外壳 A:1°C/W
• 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
• 电压, Vds 典型值:200V
• 电压, Vgs *高:20V
• 电流, Idm 脉冲:72A
• 表面安装器件:通孔安装