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场效应管IR系列产品 IRF630 IRF630NPBF 9A 200V 原装进囗

地区：广东 东莞
认证： 无

东莞市东城满通电子经营部

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数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs输入电容 (Ciss) @ Vds功率 - *大安装类型封装/外壳供应商设备封装包装产品目录页面其它名称
IRF630N
TO-220-3, TO-220AB
IR Hexfet TO-220AB
50
分离式半导体产品
FET - 单
HEXFET®
MOSFET N 通道，金属氧化物
标准型
200V
9.3A
300 毫欧 @ 5.4A, 10V
4V @ 250µA
35nC @ 10V
575pF @ 25V
82W
通孔
TO-220-3
TO-220AB
管件
1518 (CN2011-ZH PDF)
*IRF630NPBF

*经营  二三*管  场效应管 可控硅   整流桥   CYT电源管理  经营品牌   保征质量

  

 

 

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品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRF630NPBF

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

SW-REG/开关电源

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

GE-N-FET锗N沟道