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红外光敏接收管在25℃环境下之电性/光学特性:
Parameter(参数) |
Symbol (符号) |
Min. (最小值) |
Typ. (规格值) |
Max. (最大值) |
Units (单位) |
TestConditions (测试条件) |
Light Current (光电流) |
IL |
800 |
-- |
-- |
uA |
VR=5V H=2.5mW/c㎡ |
Dark Current(暗电流) |
ID |
-- |
-- |
100 |
nA |
VR=10V H=0mW/c㎡ |
Collector—Emitter Samration Voltage (集电极—发射极饱和压降) |
VCES |
-- |
-- |
0.3 |
V |
Ic=2 mA H=20mW/c㎡ |
Rang Of Spectral Bandwidth (光谱带宽) |
λ0.5 |
750 |
-- |
1100 |
nm |
|
Peak Wavelength(响应波长) |
λp |
-- |
940 |
-- |
nm |
--- |
Rise Time(上升时间) |
Tr |
-- |
15 |
-- |
nS |
VCE=5V Ic=1mA RL=1KΩ |
Fall Time(下降时间) |
Tf |
-- |
15 |
-- |
nS |
VCE=5V Ic=1mA RL=1KΩ |
Current Gain(电流放大倍数) |
hFE |
-- |
1500 |
-- |
--- |
VCE=2V Ic=1mA |
Collector-base Capacitance 结电容 |
CCB |
-- |
7 |
-- |
PF |
f=1MHZ CCB=3V |
红外光敏接收管在25℃环境下极限参数:
Parameter(参数) |
Symbo(符号) |
Rating(额定值) |
Units(单位) |
Collector—Emitter Voltage (集电极—发射极饱和压降) |
BVceo |
30 |
V |
Emitter—Collector Voltage (发射极—集电极击穿电压) |
BVceo |
5 |
V |
Power Dissipation(耗散功率) |
PD |
130 |
mW |
Operating TemperatureRange(工作温度) |
Top |
-40℃To +85℃ |
|
Storage TemperatureRange(贮藏温度) |
Tstg |
-55℃To +100℃ |
|
Lead Solder Temperature(2)(焊接温度) |
Tsol |
260℃for 3 seconds |
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