STF11NM80 STF11NM STM MOS管 800V

这些N通道功率MOSFET是利用STMicroelectronics的革命性MDMESH™技术开发的，该技术将多重漏极工艺与公司的PowerMesh™水平布局相关联。这些器件具有极低的导通电阻、高的dv/dt和优良的雪崩特性。这些功率MOSFET采用了ST专有的带状技术，具有整体动态性能，优于市场上同类产品。

规格

产品属性属性值搜索类似

制造商: STMicroelectronics

产品种类: MOSFET

型号：STF11NM80

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 800 V

Id-连续漏极电流: 11 A

Rds On-漏源导通电阻: 400 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 30 V

最小工作温度: - 65 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 35 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: MDmesh

封装: Tube

高度: 9.3 mm

长度: 10.4 mm

系列: STF11NM80

晶体管类型: 1 N-Channel

类型: MOSFET

宽度: 4.6 mm

商标: STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值: 8 S

下降时间: 15 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 17 ns

工厂包装数量: 50

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 46 ns

典型接通延迟时间: 22 ns

单位重量: 2.040 g

型号/规格

STF11NM80

品牌/商标

STM

封装

TO220F

批号

15+

击穿电压

800V

电流

11A

功率

35W

电阻

400mohm

电压

30V

温度

65

供应 STF11NM80 STF11NM STM MOS管 800V