供应SI5853DC-T1-E3 原装

标准包装：3000，1

包装类型：带卷 (TR)

RoHS规范：无铅 / 环保型

产品描述：MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：二极管（隔离式）

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.7A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：110 毫欧 @ 2.7A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7.7nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-

功率 - 最大值：1.1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SMD，扁平引线

供应商器件封装：1206-8 ChipFET™