供应SI2318DS-T1-E3 原装，假一赔十

标准包装：3000，1

包装类型：带卷 (TR)，剪切带 (CT)，Digi-Reel®

RoHS规范：无铅

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：40V

电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：45 毫欧 @ 3.9A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：540pF @ 20V

功率 - 最大值：750mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

温馨提示：

1.产品图片为形象图片，以实物为准；

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3.坚持正品供应,质量放心,价格合理!电子器件种类型号繁多,不能尽录,欢迎来电咨询!