SDRAM IS43DR16640C-25DBLI-TR ISSI 原装

制造商: ISSI 
产品种类: 动态随机存取存储器 
RoHS:  详细信息  
类型: SDRAM - DDR2 
封装 / 箱体: BGA-84 
系列: IS43DR16640C 
封装: Reel 
商标: ISSI  
湿度敏感性: Yes  
产品类型: DRAM  
工厂包装数量: 2500  
子类别: Memory & Data Storage  

单位重量: 198 mg

一、影响性能的主要时序参数


所谓的影响性能是并不是指SDRAM的带宽，频率与位宽固定后，带宽也就不可更改了。但这是理想的情况，在内存的工作周期内，不可能总处于数据传输的状态，因为要有命令、寻址等必要的过程。但这些操作占用的时间越短，内存工作的效率越高，性能也就越好。


非数据传输时间的主要组成部分就是各种延迟与潜伏期。通过上文的讲述，大家应该很明显看出有三个参数对内存的性能影响至关重要，它们是tRCD、CL和tRP。每条正规的内存模组都会在标识上注明这三个参数值，可见它们对性能的敏感性。


以内存最主要的操作--读取为例。tRCD决定了行寻址(有效)至列寻址(读/写命令)之间的间隔，CL决定了列寻址到数据进行真正被读取所花费的时间，tRP则决定了相同L-Bank中不同工作行转换的速度。现在可以想象一下读取时可能遇到的几种情况(分析写入操作时不用考虑CL即可):


1.要寻址的行与L-Bank是空闲的。也就是说该L-Bank的所有行是关闭的，此时可直接发送行有效命令，数据读取前的总耗时为tRCD+CL，这种情况我们称之为页命中(PH，Page Hit)。


2.要寻址的行正好是前一个操作的工作行，也就是说要寻址的行已经处于选通有效状态，此时可直接发送列寻址命令，数据读取前的总耗时仅为CL，这就是所谓的背靠背(Back to Back)寻址，我们称之为页快速命中(PFH，Page Fast Hit)或页直接命中(PDH，Page Direct Hit)。


3.要寻址的行所在的L-Bank中已经有一个行处于活动状态(未关闭)，这种现象就被称作寻址冲突，此时就必须要进行预充电来关闭工作行，再对新行发送行有效命令。结果，总耗时就是tRP+tRCD+CL，这种情况我们称之为页错失(PM，Page Miss)。


显然，PFH是最理想的寻址情况，PM则是最糟糕的寻址情况。上述三种情况发生的机率各自简称为PHR--PH Rate、PFHR--PFH Rate、PMR--PM Rate。因此，系统设计人员(包括内存与北桥芯片)都尽量想提高PHR与PFHR，同时减少PMR，以达到提高内存工作效率的目的。