NAND闪存 MT29F32G08CBADAWP:D TR Micron

制造商: Micron Technology

产品种类: NAND闪存

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSOP-48

系列: MT29F

存储容量: 32 Gbit

接口类型: Parallel

组织: 4 G x 8

定时类型: Asynchronous

数据总线宽度: 8 bit

电源电压-最小: 2.7 V

电源电压-最大: 3.6 V

电源电流—最大值: 50 mA

最小工作温度: 0 C

最大工作温度: + 70 C

封装: Cut Tape

封装: Reel

存储类型: NAND  

产品: NAND Flash  

类型: No Boot Block  

商标: Micron  

产品类型: NAND Flash  

标准: Not Supported  

工厂包装数量: 1000  

子类别: Memory & Data Storage

NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，这在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND正被证明极具吸引力。NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。

闪存结合了EPROM的高密度和EEPROM结构的变通性的优点。

EPROM是指其中的内容可以通过特殊手段擦去，然后重新写入。其基本单元电路如下图所示。常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路，简称为FAMOS。它与MOS电路相似，是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区，通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在 绝缘层中，与四周无直接电气联接。这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0，浮空栅极带电后(例如负电荷)，就在其下面，源极和漏极之间感应出正的导电沟道，使MOS管导通，即表示存入0.若浮空栅极不带电，则不能形成导电沟道，MOS管不导通，即存入1。