肖特基二极管 BAT54C ON 海量库存

制造商: ON Semiconductor

产品种类: 肖特基二极管与整流器

产品: Schottky Diodes

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23

If - 正向电流: 0.2 A

Vrrm - 重复反向电压: 30 V

Vf - 正向电压: 0.8 V

Ifsm - 正向浪涌电流: 0.6 A

配置: Dual Common Cathode

技术: Si

Ir - 反向电流 : 2 uA at 25 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

系列: BAT54C

封装: Reel

高度: 0.93 mm  

长度: 2.92 mm  

工作温度范围: - 55 C to + 150 C  

端接类型: SMD/SMT  

类型: Schottky Diode  

宽度: 1.3 mm  

商标: ON Semiconductor / Fairchild  

产品类型: Schottky Diodes & Rectifiers  

工厂包装数量: 3000  

子类别: Diodes & Rectifiers  

trr - 反向恢复时间 : 5 ns  

零件号别名: BAT54C_NL  

单位重量: 31 mg

肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的，SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。