磁性传感器 AS5600 可代替AS5145B

制造商: ams

产品种类: 板机接口霍耳效应/磁性传感器

类型: Absolute Encoder

工作电源电流: 6.5 mA

工作电源电压: 5 V

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 125 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOIC-8

输出类型: Analog  

产品: Magnetic Encoders  

分辨率: 12 bit  

端接类型: SMD/SMT  

商标: ams  

Pd-功率耗散: 50 mW  

产品类型: Hall Effect / Magnetic Sensors  

工厂包装数量: 2500  

子类别: Sensors  

电源电压-最大: 5.5 V  

电源电压-最小: 4.5 V  

零件号别名: 191240005

磁传感器广泛用于现代工业和电子产品中以感应磁场强度来测量电流、位置、方向等物理参数。在现有技术中，有许多不同类型的传感器用于测量磁场和其他参数。

例如采用霍尔(Hall)元件，各向异性磁电阻(Anisotropic Magnetoresistance, AMR)元件或巨磁电阻(Giant Magnetoresistance, GMR)元件为敏感元件的磁传感器。TMR(Tunnel MagnetoResistance)元件是近年来开始工业应用的新型磁电阻效应传感器，其利用的是磁性多层膜材料的隧道磁电阻效应对磁场进行感应，比之前所发现并实际应用的AMR元件和GMR元件具有更大的电阻变化率。我们通常也用磁隧道结(Magnetic Tunnel Junction, MTJ)来代指TMR元件，MTJ元件相对于霍尔元件具有更好的温度稳定性，更高的灵敏度，更低的功耗，更好的线性度，不需要额外的聚磁环结构;相对于AMR元件具有更好的温度稳定性，更高的灵敏度，更宽的线性范围，不需要额外的set/reset线圈结构;相对于GMR元件具有更好的温度稳定性，更高的灵敏度，更低的功耗，更宽的线性范围。