IGW100N60H3 IGBT 晶体管 Infineon

制造商: Infineon

产品种类: IGBT 晶体管

技术: Si

封装 / 箱体: TO-247-3

安装风格: Through Hole

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V

集电极—射极饱和电压: 1.85 V

栅极/发射极最大电压: +/- 20 V

在25 C的连续集电极电流: 140 A

Pd-功率耗散: 714 W

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 175 C

系列: HighSpeed 3

封装: Tube

商标: Infineon Technologies  

栅极—射极漏泄电流: 100 nA  

产品类型: IGBT Transistors  

工厂包装数量: 240  

子类别: IGBTs  

商标名: TRENCHSTOP  

零件号别名: IGW100N60H3FKSA1 IGW1N6H3XK SP000913772  

单位重量: 6 g

IGBT中频电源装置是采用国际先进新型器件，IGBT(绝缘栅双极性晶体管)串联谐振式感应加热电源装置。主要用于各种金属材料及其合金的熔炼、透热和淬火领域。IGBT中频电源装置是老式可控硅中频电源的更新换代产品。

潍坊科华电炉制造有限公司生产的IGBT中频熔炼炉具有输出功率大、节能省电、效率高、熔炼速度快、工作稳定可靠、故障率低等优点，而且工艺精良，使用维修极为方便，受到广大用户的欢迎。

IGBT中频熔炼炉的成功推出，依靠其先进的技术和节能、降耗的优点，成为中频熔炼行业的一次巨大革命。

1、恒功率输出、熔炼速度快:IGBT中频电源是一种真正恒功率输出的电源，逆变频率时刻跟踪负载变化，达到完全谐振保持恒功率输出，它和可控硅中频调功方 式不同，可控硅中频是通过调节直流输出电压。IGBT产品是调节频率，它不受炉料的多少影响。在整个熔炼过程中始终保持恒功率输出，所以熔炼速度快，进而达到高效节能。配置600KW功率，1吨熔炼炉，1吨铁水仅55分钟熔化，每熔炼一吨铁比普通可控硅电源节电150~200度