贴片MOSFET集成电路ic si7401 DFN3*3-8封装 P沟道 -30V/-20A 智能穿戴智能产品应用方案专用

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极限参数

①最大漏极电流是指管子正常工作时漏极电流允许的上限值,

②最大耗散功率是指在管子中的功率,受到管子最高工作温度的限制,

③最大漏源电压是指发生在雪崩击穿、漏极电流开始急剧上升时的电压,

④最大栅源电压是指栅源间反向电流开始急剧增加时的电压值。

除以上参数外,还有极间电容、高频参数等其他参数。

漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时,产生雪崩击穿时的UDS。

栅极击穿电压结型场效应管正常工作时,栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态,若电流过高,则产生击穿现象。

使用时主要关注的参数有:

1、IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流。

2、UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压。

3、UT—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压。

4、gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。

5、BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。

6、PDSM—最大耗散功率。也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。7、IDSM—最大漏源电流。是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM。



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型号/规格

Si7401

品牌/商标

南芯

封装形式

DFN3*3-8L

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装