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依据传感器的结构、所依赖的物理原理以及被测量的不同,对不同传感器提出不同的要求。概括起来,大致偶几个方面的要求:1.机械上是坚固的,不怕震动,不怕冲击;2.避免热应力对芯片的影响;3.电器上芯片与环境或大地是绝缘的或芯片与大地是电链接的;4.热链接(温度传感器)或尽可能与环境热隔离;5.电磁屏蔽的或非屏蔽的(磁传感器);6.气密且耐水压力的(压力传感器);7.光屏蔽的或聚光的(光电传感器)。
硅压力传感器的微机械加工的发展,硅片的腐蚀工艺历史源远流长。早在60年代便出现硅片的化学抛光、腐蚀与减薄工艺。例如有White腐蚀液(HF:HNO3=1:3),用于硅片抛光。之后随著晶体中位错、层错的显示又有相应的腐蚀液,例如有Dash、Sietl、Secco、Wringht腐蚀液及其改进的排放。80年代严重影响硅单晶的漩涡缺陷受到人们重视,又出现以络酸和HF为基础的微缺陷显示液。此外还有显示晶向的各异性碱性腐蚀也(NaOH或KOH水溶液),以及显示晶体生长条纹的腐蚀液。
A6AAF
E1NS
E1ND
E1NJ
E2NS
E2ND
E2NJ
EGNS
EGNJ
EGNL
E1BS
E1BD
E2BS
E2BD
EGBS
EGBD
EGBJ
EGBL
5 PSI-D1-4V-MINI
ALL sensors
5PSI
差压
1%
干燥洁净气体