产品详情

场效应管 N沟道 电压30V 电流2.7A FDN359AN

地区：广东 深圳
认证： 无

日新微电子（深圳）有限公司

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制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SSOT-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 2.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 37 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: Fairchild Semiconductor
配置: Single
下降时间: 13 ns
正向跨导 - 最小值: 9.5 S
高度: 0.94 mm
长度: 2.92 mm
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 500 mW
产品: MOSFET Small Signal
上升时间: 13 ns
系列: PowerTrench
工厂包装数量: 3000
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 15 ns
典型接通延迟时间: 6 ns
宽度: 1.4 mm
零件号别名: FDN359AN_NL
单位重量: 30 mg






  

FDN359ANFDN359ANFDN359AN

型号/规格

FDN359AN

品牌/商标

FAIRCHILD（飞兆）

封装形式

SOT23-3

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

小功率