场效应管 N沟道 电压30V 电流8A FDN537N
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
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| 制造商: | Fairchild Semiconductor | |
| 产品种类: | MOSFET | |
| RoHS: |
 详细信息
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| 技术: | Si | |
| 安装风格: | SMD/SMT | |
| 封装 / 箱体: | SSOT-3 | |
| 通道数量: | 1 Channel | |
| 晶体管极性: | N-Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | 30 V | |
| Id-连续漏极电流: | 8 A | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 36 mOhms | |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 3 V | |
| Qg-栅极电荷: | 8.4 nC | |
| 最大工作温度: | + 150 C | |
| 封装: | Reel | |
| 商标: | Fairchild Semiconductor | |
| 配置: | Single | |
| 下降时间: | 10 ns | |
| 正向跨导 - 最小值: | 24 S | |
| 最小工作温度: | - 55 C | |
| Pd-功率耗散: | 1.5 W | |
| 上升时间: | 10 ns | |
| 系列: | PowerTrench | |
| 工厂包装数量: | 3000 | |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel | |
| 典型关闭延迟时间: | 19 ns | |
| 典型接通延迟时间: | 10 ns | |
| 单位重量: | 30 mg |
FDN537NFDN537NFDN537NFDN537N
FDN537N
FAIRCHILD（飞兆）
SOT23-3
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
