场效应管 N沟道 电压30V 电流1.1A NDS351N
地区:广东 深圳
认证:
无
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产品属性
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制造商: | Fairchild Semiconductor | |
产品种类: | MOSFET | |
RoHS: | 详细信息 | |
技术: | Si | |
安装风格: | SMD/SMT | |
封装 / 箱体: | SSOT-3 | |
通道数量: | 1 Channel | |
晶体管极性: | N-Channel | |
Vds-漏源极击穿电压: | 30 V | |
Id-连续漏极电流: | 1.1 A | |
Rds On-漏源导通电阻: | 250 mOhms | |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V | |
最大工作温度: | + 150 C | |
封装: | Reel | |
通道模式: | Enhancement | |
商标: | Fairchild Semiconductor | |
配置: | Single | |
下降时间: | 16 ns | |
高度: | 0.94 mm | |
长度: | 2.92 mm | |
最小工作温度: | - 55 C | |
Pd-功率耗散: | 500 mW | |
产品: | MOSFET Small Signal | |
上升时间: | 16 ns | |
工厂包装数量: | 3000 | |
晶体管类型: | 1 N-Channel | |
典型关闭延迟时间: | 26 ns | |
典型接通延迟时间: | 9 ns | |
宽度: | 1.4 mm | |
单位重量: | 30 mg |
NDS351NNDS351NNDS351NNDS351N
NDS351N
FAIRCHILD(飞兆)
SOT23-3
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率