场效应管 电压-60V 电流-1.9A BSP170P

地区:广东 深圳
认证:

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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PG-SOT223
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: - 60 V
Id-连续漏极电流: - 1.9 A
Rds On-漏源导通电阻: 300 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: +/- 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: - 3 V
Qg-栅极电荷: - 10 nC
最大工作温度: + 150 C
技术: Si
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 60 ns
正向跨导 - 最小值: 2.6 S
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 1.8 W
上升时间: 28 ns
系列: BSP170
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 92 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
零件号别名: BSP170PH6327XTSA1 SP

BSP170PBSP170PBSP170P

型号/规格

BSP170P

品牌/商标

INFINEON(英飞凌)

封装形式

SOT223

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

小功率