场效应管 电压-30V 电流3A BSP250
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
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| 制造商: | NXP | |
| 产品种类: | MOSFET | |
| RoHS: |
 详细信息
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| 商标: | NXP Semiconductors | |
| 安装风格: | SMD/SMT | |
| 封装 / 箱体: | SOT-223-3 | |
| 通道数量: | 1 Channel | |
| 晶体管极性: | P-Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | - 30 V | |
| Id-连续漏极电流: | - 3 A | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 330 mOhms | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V | |
| Qg-栅极电荷: | 10 nC | |
| 最大工作温度: | + 150 C | |
| 封装: | Reel | |
| 通道模式: | Enhancement | |
| 配置: | Single Dual Drain | |
| 正向跨导 - 最小值: | 2 S, 1 S | |
| 最小工作温度: | - 65 C | |
| Pd-功率耗散: | 5 W | |
| 工厂包装数量: | 1000 | |
| 晶体管类型: | 1 P-Channel | |
| 零件号别名: | BSP250 T/R | |
| 单位重量: | 250.200 mg |
BSP250 BSP250 BSP250
BSP250
NXP（恩智浦）
SOT223
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
