场效应管 电压V 电流A FDS8984
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
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| 制造商: | Fairchild Semiconductor | |
| 产品种类: | MOSFET | |
| RoHS: |
 详细信息
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| 安装风格: | SMD/SMT | |
| 封装 / 箱体: | SO-8 | |
| 通道数量: | 2 Channel | |
| 晶体管极性: | N-Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | 30 V | |
| Id-连续漏极电流: | 7 A | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 19 mOhms | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V | |
| 最大工作温度: | + 150 C | |
| 封装: | Reel | |
| 通道模式: | Enhancement | |
| 商标: | Fairchild Semiconductor | |
| 配置: | Dual Dual Drain | |
| 下降时间: | 9 ns | |
| 最小工作温度: | - 55 C | |
| Pd-功率耗散: | 1.6 W | |
| 上升时间: | 9 ns | |
| 系列: | FDS8984 | |
| 工厂包装数量: | 2500 | |
| 晶体管类型: | 2 N-Channel | |
| 典型关闭延迟时间: | 42 ns | |
| 典型接通延迟时间: | 5 ns | |
| 单位重量: | 187 mg |
FDS8984 FDS8984 FDS8984
FDS8984
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