场效应管 电压100V 电流1.8A BSP372N

地区:广东 深圳
认证:

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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT223
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 1.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 153 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: +/- 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.4 V
Qg-栅极电荷: 9.5 nC
最大工作温度: + 150 C
技术: -
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 18 ns
正向跨导 - 最小值: 5.1 S
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 1.8 W
上升时间: 6.7 ns
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 47.3 ns
典型接通延迟时间: 5.1 ns
零件号别名: BSP372N H6327 SP

BSP372N BSP372N BSP372N

型号/规格

BSP372N

品牌/商标

INFINEON(英飞凌)

封装形式

SOT-223

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

小功率