场效应管 电压100V 电流3A PHT6NQ10T
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
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| 制造商: | NXP | |
| 产品种类: | MOSFET | |
| RoHS: |
 详细信息
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| 商标: | NXP Semiconductors | |
| 安装风格: | SMD/SMT | |
| 封装 / 箱体: | SOT-223-3 | |
| 通道数量: | 1 Channel | |
| 晶体管极性: | N-Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | 100 V | |
| Id-连续漏极电流: | 3 A | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 57 mOhms | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V | |
| 最大工作温度: | + 150 C | |
| 封装: | Reel | |
| 通道模式: | Enhancement | |
| 配置: | Single Dual Drain | |
| 下降时间: | 15 ns | |
| 最小工作温度: | - 65 C | |
| Pd-功率耗散: | 1.8 W | |
| 上升时间: | 15 ns | |
| 工厂包装数量: | 4000 | |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel | |
| 典型关闭延迟时间: | 20 ns | |
| 典型接通延迟时间: | 6 ns | |
| 零件号别名: | /T3 PHT6NQ10T |
PHT6NQ10TPHT6NQ10TPHT6NQ10TPHT6NQ10T
PHT6NQ10T
NXP（恩智浦）
SOT-223
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
