场效应管 电压100V 电流3A PHT6NQ10T

地区:广东 深圳
认证:

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制造商: NXP
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
商标: NXP Semiconductors
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-223-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 3 A
Rds On-漏源导通电阻: 57 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
配置: Single Dual Drain
下降时间: 15 ns
最小工作温度: - 65 C
Pd-功率耗散: 1.8 W
上升时间: 15 ns
工厂包装数量: 4000
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 20 ns
典型接通延迟时间: 6 ns
零件号别名: /T3 PHT6NQ10T


PHT6NQ10TPHT6NQ10TPHT6NQ10TPHT6NQ10T

型号/规格

PHT6NQ10T

品牌/商标

NXP(恩智浦)

封装形式

SOT-223

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

小功率