场效应管 电压60V 电流98A NVD5862N

制造商:	ON Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:	详细信息
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-252-3
晶体管极性:	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	98 A
Rds On-漏源导通电阻:	5.7 mOhms
封装:	Reel
商标:	ON Semiconductor
系列:	NVD5862N
工厂包装数量:	2500

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

NVD5862NNVD5862NNVD5862NNVD5862N