场效应管 电压40V 电流123A NVD5890N

地区:广东 深圳
认证:

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制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 123 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Qg-栅极电荷: 74 nC
最大工作温度: + 175 C
封装: Reel
商标: ON Semiconductor
配置: Single
下降时间: 7 ns
正向跨导 - 最小值: 16.8 S
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 107 W
上升时间: 55 ns
系列: NVD5890N
工厂包装数量: 2500
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 35 ns
典型接通延迟时间: 14 ns


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型号/规格

NVD5890N

品牌/商标

ON(安森美)

封装形式

TO252

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

小功率