MOSFET场效应管 N-MOS N沟道电压60V 电流24A 贴片三极管 ON TO-252 NTD5414N

制造商:	ON Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:	详细信息
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-252-3
晶体管极性:	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	24 A
Rds On-漏源导通电阻:	37 mOhms
封装:	Reel
商标:	ON Semiconductor
系列:	NTD5414N
工厂包装数量:	2500

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。

由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。