场效应管 电压30V 电流12.7A NTD4969N
地区:广东 深圳
认证:
无
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产品属性
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制造商: | ON Semiconductor | |
产品种类: | MOSFET | |
RoHS: | 详细信息 | |
安装风格: | SMD/SMT | |
封装 / 箱体: | TO-252-3 | |
通道数量: | 1 Channel | |
晶体管极性: | N-Channel | |
Vds-漏源极击穿电压: | 30 V | |
Id-连续漏极电流: | 12.7 A | |
Rds On-漏源导通电阻: | 19 mOhms | |
Vgs - 栅极-源极电压: | +/- 20 V | |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.8 V | |
Qg-栅极电荷: | 9 nC | |
最大工作温度: | + 175 C | |
封装: | Reel | |
商标: | ON Semiconductor | |
配置: | Single | |
正向跨导 - 最小值: | 36 S | |
最小工作温度: | - 55 C | |
Pd-功率耗散: | 26.3 W | |
系列: | NTD4969N | |
工厂包装数量: | 2500 | |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
NTD4969N NTD4969N NTD4969N
NTD4969N
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