场效应管 电压30V 电流12.1A NTD4909N
地区:广东 深圳
认证:
无
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产品属性
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制造商: | ON Semiconductor | |
产品种类: | MOSFET | |
RoHS: | 详细信息 | |
商标: | ON Semiconductor | |
安装风格: | SMD/SMT | |
封装 / 箱体: | TO-252-3 | |
通道数量: | 1 Channel | |
晶体管极性: | N-Channel | |
Vds-漏源极击穿电压: | 30 V | |
Id-连续漏极电流: | 12.1 A | |
Rds On-漏源导通电阻: | 8 mOhms | |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.7 V | |
Qg-栅极电荷: | 17.5 nC | |
封装: | Reel | |
配置: | Single | |
正向跨导 - 最小值: | 52 S | |
Pd-功率耗散: | 1.37 W | |
系列: | NTD4909N | |
工厂包装数量: | 2500 | |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
NTD4909N NTD4909N NTD4909N NTD4909N
NTD4909N
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