场效应管 电压600V 电流7A SiHD7N60E
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
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| 制造商: | Vishay | |
| 产品种类: | MOSFET | |
| RoHS: |
 详细信息
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| 商标: | Vishay / Siliconix | |
| 安装风格: | SMD/SMT | |
| 封装 / 箱体: | TO-252-3 | |
| 通道数量: | 1 Channel | |
| 晶体管极性: | N-Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | 600 V | |
| Id-连续漏极电流: | 7 A | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 600 mOhms | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V | |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 4 V | |
| Qg-栅极电荷: | 20 nC | |
| 最大工作温度: | + 150 C | |
| 封装: | Reel | |
| 通道模式: | Enhancement | |
| 配置: | Single | |
| 下降时间: | 14 ns | |
| 最小工作温度: | - 55 C | |
| Pd-功率耗散: | 78 W | |
| 上升时间: | 13 ns | |
| 系列: | E | |
| 工厂包装数量: | 2000 | |
| 商标名: | E Series | |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel | |
| 典型关闭延迟时间: | 24 ns | |
| 典型接通延迟时间: | 13 ns |
SiHD7N60ESiHD7N60ESiHD7N60ESiHD7N60E
SiHD7N60E
VISHAY
TO252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
