场效应管 电压500V 电流10.5A SiHD12N50E
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
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| 制造商: | Vishay | |
| 产品种类: | MOSFET | |
| RoHS: |
 详细信息
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| 安装风格: | SMD/SMT | |
| 封装 / 箱体: | TO-252-3 | |
| 通道数量: | 1 Channel | |
| 晶体管极性: | N-Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | 500 V | |
| Id-连续漏极电流: | 10.5 A | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 380 mOhms | |
| Qg-栅极电荷: | 25 nC | |
| 封装: | Reel | |
| 商标: | Vishay Semiconductors | |
| Pd-功率耗散: | 114 W | |
| 商标名: | E Series | |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel |
SiHD12N50ESiHD12N50ESiHD12N50ESiHD12N50E
SiHD12N50E
VISHAY
TO252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
