场效应管 电压500V 电流3A SiHD3N50D
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
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| 制造商: | Vishay | |
| 产品种类: | MOSFET | |
| RoHS: |
 详细信息
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| 商标: | Vishay Semiconductors | |
| 安装风格: | SMD/SMT | |
| 封装 / 箱体: | TO-252-3 | |
| 通道数量: | 1 Channel | |
| 晶体管极性: | N-Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | 500 V | |
| Id-连续漏极电流: | 3 A | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 3.2 Ohms | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | 30 V | |
| Qg-栅极电荷: | 6 nC | |
| 封装: | Reel | |
| 配置: | Single | |
| 下降时间: | 13 ns | |
| 正向跨导 - 最小值: | 1 S | |
| Pd-功率耗散: | 104 W | |
| 上升时间: | 9 ns | |
| 系列: | E | |
| 工厂包装数量: | 3000 | |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel |
SiHD3N50DSiHD3N50DSiHD3N50DSiHD3N50D
SiHD3N50D
VISHAY
TO252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
